El sistema está diseñado para el crecimiento de películas delgadas semiconductoras III-V (AlAs-AlGaAs). Actualmente se encuentra en instalación y aún no está operativo.
Sistema de crecimiento de películas delgadas semiconductoras por molecular Beam Epitaxy – Riber
Información adicional
- Lugar: Centro Atómico Bariloche
- Dependencia: INN-Sala limpia-BT-GF-GAIyANN
-
Responsables:
Julio Guimpel (Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.)
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