El sistema está diseñado para el crecimiento de películas delgadas (nm a algunas decenas de nm) de espesor por sputtering (erosión catódica). Posee cuatro fuentes paralelas y un posicionador programable que permite el crecimiento de superredes combinando más de un material. También posee un sistema de calefacción del sustrato que permite depositar a temperaturas entre ambiente y 800 °C, inclusive en atmosfera oxidante, lo que habilita el crecimiento de óxidos como perovskitas.

En el Centro Atómico Bariloche se dispone de una pequeña sala de Química en el edificio del INN y una sala de química y otra de hornos en el Laboratorio de Resonancias Magnéticas. Estas salas están equipadas con una serie de facilidades dedicadas a la preparación y tratamientos térmicos de diversos tipos de nanoestructuras.

Las salas de Química están equipadas con campanas de flujo laminar, gases ultra puros (Ar, O2, N2, 5% H2/N2), agua deionizada y vidriería diversa. Además, para síntesis de nanoestructuras existe equipamiento como Caja de Guantes Braun para trabajar en atmósfera de ppm de O2 y ppm H2O, ultrasonidos de distintas potencias, bombas digestoras para realizar procesos  hidrotermales (hasta 0.1MPa, 70 ml y 250 ml), mantas térmicas con control digital, balanzas con diferentes precisiones (hasta 0.01 mg), refrigeradores (hasta -27 °C), centrifugas (hasta 14000 rpm), estufa para secado y esterilización (hasta 300 °C), un  potenciostato con electrodo de Ag/AgCl. Un equipo de spray-pirólisis con boquilla de ultrasonido, bombas peristálticas y horno con flujo de gases hasta 1000ºC.

Posee diferentes hornos convencionales que pueden alcanzar temperaturas de hasta 1100ºC y hornos de altas temperaturas tubulares y tipo mufla que pueden llegar hasta 1500ºC. Todos los tubulares pueden trabajar en atmósfera de aire o bajo un flujo continuo de gases (Ar, O2, N2, 5% H2/N2).

El sistema está diseñado para el crecimiento de películas delgadas (nm a algunas decenas de nm) de espesor por sputtering (erosión catódica). Posee tres fuentes paralelas y un posicionador programable que permite el crecimiento de superredes combinando más de un material. También posee un sistema de calefacción del sustrato que permite depositar a temperaturas entre ambiente y 600 °C, inclusive en atmosfera oxidante, lo que habilita el crecimiento de óxidos como perovskitas.

El sistema está diseñado para el crecimiento de películas delgadas semiconductoras III-V (AlAs-AlGaAs). Actualmente se encuentra en instalación y aún no está operativo.