Sistema de depósito de películas delgadas Fabricante: Advanced Vacuum Características:Fuente de RF 300W 13.56 MHz Fuente de por plasma reactivo asistido por plasma LF 500W 100-460 kHz para control de stress en depósitos de Si3N4.Calefactor de sustrato hasta 380°C. Tamaños de muestra: cualquier forma y tamaño hasta 200 mm. Procesos…

Sistema de depósito de películas de niquel Fabricante: Surface Finishing Technologies Características: Celda de depósito con control de por electrodeposición temperatura y flujo de agitación ajustable. Tamaños de muestra: cualquier forma y tamaño hasta 150 mm. Fuente de alimenatción de corriente continua hasta 2A. Procesos disponibles: Peliculas de hasta 10um…

Sistema de Ataque de películas dieléctricas. Fabricante: Oxford Instruments Características: RIE de placas paralelas y generador de y silicio plasma IPC. Ataques basados en Flúor(SF6, C4F8).Generador de RF: 300W con sintonizador automático.Generador de ICP:750W con sintonizador automático.Gases: SF6, C4F8, Ar, O2.Control automático de presión hasta 200mTorr.Tamaño de muestra: Solo obleas…