Sistema de depósito de películas delgadas
Fabricante: Advanced Vacuum
Características:
Fuente de RF 300W 13.56 MHz Fuente de por plasma reactivo asistido por plasma LF 500W 100-460 kHz para control de stress en depósitos de Si3N4.
Calefactor de sustrato hasta 380°C. Tamaños de muestra: cualquier forma y tamaño hasta 200 mm.
Procesos disponibles: SiN, Low stress SiN, SiO2.